二次離子質譜儀(SIMS)於積體電路工藝質量監控的分析應用
頂尖的半導體應用晶片除了需要優異的IC電路設計外, 更需要完美的奈米元件結構搭配以新世代或先進的半導體工藝技術, 以達到晶片最佳的效能表現。
先進電晶體技術與發展趨勢
隨著傳統半導體尺寸的微縮,電晶體的柵極長度(gate length)也逐漸縮小。為了評估半導體晶片製作技術,傳統上常使用電晶體的柵極線寬作為指標,因為柵極線寬越小,代表電晶體越小,相同尺寸的晶片就能容納更多的電晶體,進而意味著功能越多、效能越好。
線路修補技術方案與流程
在IC的設計製造流程中,研發後流片(tape-out)的產品需要做功能性的驗證,確認是否符合測試的標準,但往往會有效能的差異,甚至是功能上的缺陷,此時就必須進行設計除錯(design debug)找出問題點,進行設計的改版,重新生產,這整個流程就形成一個迴圈,越快找到問題,就能加快產品上市的時間(time to market)。
以離子注入研製成長於藍寶石基板之N型β-Ga2O3 多晶膜及其器件特性之研究
近幾年電動車與再生能源的快速發展,市場對功率器件的需求與效能要求不斷增加,而Si的能隙(Bandgap, Eg)只有1.12 eV,無法承受大電壓,目前在高電壓、大功率的功率器件以逐漸採用第三代寬能帶半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)所製作之器件,此些材料所製作之器件在功率器件的電壓與功率可大幅提升,進而可改善在電動車與再生能源能源應..
到平面的世界探險吧---二維材料簡介
二維材料系統有許多優異特性已被報導,集感測、儲存和處理於一體的 2D 半導體硬體系統未來將顛覆電子應用的架構。現階段來說,要發展積體電路量產,乃至商業化應用,仍有許多研究工作待完成。
積體電路靜電防護與閂鎖測試方案規劃和失效驗證流程
在產品的研發階段,ESD 與 LU 測試與分析是不可或缺的一環,依循本篇文章的驗證流程,可以快速的解決認證方面的問題,若有其它特殊狀況,也歡迎聯絡閎康的專業團隊做更深入的解析。